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17 December 2025

浅议集成电路布图设计独创性判定中对"公认的常规设计"的认定

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集成电路布图设计专有权是根据《集成电路布图设计保护条例》...
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一、引言

集成电路布图设计专有权是根据《集成电路布图设计保护条例》(以下简称《条例》)对具有独创性的集成电路布图设计进行保护的一种知识产权,它与专利权、商标权、著作权等一样,都是知识产权的重要分支。近年来,伴随着我国集成电路领域的蓬勃发展,集成电路布图设计的申请量逐年提高,涉及集成电路布图设计专有权的纠纷案件的数量也有增长趋势。

具备独创性是集成电路布图设计能够受到保护的前提条件之一。

《条例》第四条第一项规定:"受保护的布图设计应当具有独创性,即该布图设计是创作者自己的智力劳动成果,并且在其创作时该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。"

《条例》第三十条第一项规定:"除本条例另有规定的外,未经布图设计权利人许可,有下列行为之一的,行为人必须立即停止侵权行为,并承担赔偿责任:(一)复制受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分的...。"

从上述法条不难看出,在涉及集成电路布图设计的各类纠纷案件中,判断集成电路布图设计是否具备独创性都是较为关键的先决问题。例如,在涉及集成电路布图设计撤销的行政纠纷案件中,布图设计是否具备独创性常常是影响案件结果的决定性因素。又例如,在涉及集成电路布图设计专有权的侵权纠纷案件中,特别是在判定是否发生了针对集成电路布图设计专有权的侵权行为时,也需要先确认布图设计具备独创性,才能够进行后续的侵权比对等流程。可见,判断集成电路布图设计是否具备独创性是大部分纠纷案件中的核心焦点之一。

根据上述法条,集成电路布图设计具备独创性的前提之一是在其创作时该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。由此,公认的常规设计究竟是什么,一定程度上影响了布图设计是否具备独创性。

对于公认的常规设计,《集成电路布图设计审查与执法指南(试行)》(以下简称《指南》)第3.3章给出了明确的定义:"公认的常规设计,是指在创作布图设计时布图设计创作者和集成电路制造者能够从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料中获取的设计以及根据基本的设计原理容易想到的设计。"

尽管有着明确的定义,但在当前的集成电路布图设计保护实践中,对于如何判断哪些设计可以被认定为是公认的常规设计仍然存在争议,相关司法案例也不太多。

(2022)最高法知民终1596号判决书涉及斯某公司与成某公司山东高某公司某银行股份有限公司山东省分行侵害集成电路布图设计专有权纠纷案。(2024)最高法知行终469号判决书涉及海晶某电子科技有限公司与国家知识产权局及苏州赛某电子科技股份有限公司集成电路布图设计撤销行政纠纷案。在这两个案件的审理过程中,均涉及了对公认的常规设计的证据的判别和使用,这对于在集成电路布图设计的独创性判断过程中应如何合理使用公认的常规设计有一定指导意义。本文结合判决书中的相关意见,对公认的常规设计的认定和使用进行讨论。

二、案情介绍

案例1:斯某公司与成某公司山东高某公司某银行股份有限公司山东省分行侵害集成电路布图设计专有权纠纷案

斯某公司系权利布图设计的专有权人。权利布图设计由斯某公司于2012年3月19日创作完成,2012年10月9日投入商业利用,2013年4月27日向国家知识产权局申请登记,2013年8月21日,国家知识产权局对权利布图设计进行公告。

(1)一审相关情况

斯某公司向一审法院提起诉讼,请求判令成某公司、山东高某公司、某银行山东省分行停止侵权行为,即成某公司立即停止生产、许诺销售、销售含有名称为"5.8GHz射频收发器ET6602S"、登记号为BS.13500XXXX的集成电路布图设计(以下简称权利布图设计)的车载单元(OBU)设备(以下简称车载单元),山东高某公司、某银行山东省分行立即停止销售含有权利布图设计的车载单元。

成某公司一审辩称:鉴定意见认为斯某公司所主张的九个具有独创性的模块,其实已经包含多项公认的常规设计而且没有能够反映出布图设计的三维配置信息。

根据斯某公司申请,一审法院委托国家工信安全中心对被诉侵权芯片的布图设计与权利布图设计是否相同或实质相同及相同或实质相同的部分是否具有独创性进行鉴定。国家工信安全中心出具了第2021JSJD0410号《鉴定意见书》(以下简称鉴定意见)。鉴定结论认为被诉侵权芯片的布图设计与权利布图设计图样存在五个构成实质性相同之处。

成某公司、山东高某公司、某银行山东省分行等对鉴定意见提出异议,并申请鉴定人一审出庭作证。

鉴定人员一审出庭进行作证,并回应了质疑意见。鉴定人表示其在进行独创性判断过程中,鉴定组查阅了《模拟电路版图的艺术》(第二版)《射频电路与芯片设计要点》《现代集成电路版图设计》等教材、图书,并未找到其他相关的已有文献、已有设计信息;此外,当前集成电路行业内没有公开的、全面的、可供检索的集成电路布图设计的信息资源库。

一审法院认为,斯某公司明确提出了独创点,对其进行了充分说明和鉴定,鉴于独创性的判断有赖于被诉侵权人提供的相反证据,成某公司等提供的证据尚不足以反驳斯某公司提出的独创点,经鉴定确认的5个独创点所对应的布图设计作为独创性部分应受保护。而且,被诉侵权芯片的布图设计构成对权利布图设计独创性部分的复制,侵害了斯某公司的权利布图设计专有权。
基于以上,一审法院判决被告成某公司立即停止侵权行为并做出相应赔偿。

(2)二审相关情况

斯某公司、成某公司不服一审判决,向最高院提起上诉。斯某公司上诉请求主张更高的赔偿额度。成某公司上诉请求撤销一审判决,所依据的理由包含:权利布图设计独创点包含多个公认的常规设计,且未能反映出三维配置信息,不具有独创性,不应予以保护。

最高院认为,对于布图设计中指明的独创性部分是否属于公认的常规设计,其判断主体应该是布图设计创作者和集成电路制造者。公认的常规设计,是指在创作布图设计时布图设计创作者和集成电路制造者能够从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料或材料中获取的、为行业内人员所熟知的设计以及根据基本的设计原理容易想到的惯常设计。具体到本案,成某公司提供的证据《A VERY LOW NOISE WIDE BAND CLASS-CCMOSLCVCO》《A 5GHz Differential Colpitts CMOSVCO Using the Bottom PMOS Cross-Coupled Current Source》为期刊论文,证据CN101741326A专利为中国专利公开文本,均不属于布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料的范畴,成某公司提供的上述证据不足以证明权利布图设计属公认的常规设计,亦未能证明权利布图设计并非斯某公司创作,不足以反驳鉴定意见中关于权利布图设计具有独创性的结论。据此,最高院认定涉案权利布图设计具有独创性。此外,最高院还认定权利布图设计与被诉侵权芯片的布图设计实质性相同,

最终,最高院判决斯某公司的上诉请求部分成立,应予支持。成某公司的上诉请求不能成立,应予驳回。

案例2:海晶某电子科技有限公司与国家知识产权局及苏州赛某电子科技股份有限公司集成电路布图设计撤销行政纠纷案

赛某公司在国家知识产权局登记了名称为"集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片"的集成电路布图设计(以下简称为权利布图设计),该本布图设计的登记号为BS.12500520.2,申请日为2012年4月22日,公告日为2012年6月27日,首次商业利用日为2011年12月20日。

2019年5月21日,晶某公司针对本布图设计向国家知识产权局提交集成电路布图设计专有权撤销意见书,以本布图设计不符合《条例》第四条的规定为由,请求撤销本布图设计专有权,并提交了10份证据。其中,证据6系集成电路布图设计专有权公告,BS.09500036.4(PS002),公告日期为2009年9月9日。

2021年12月31日,国家知识产权局作出被诉决定认为:本布图设计独创点1-4整体对应的布图设计没有被现有设计披露,目前也没有证据表明本布图设计独创点1-4整体所对应的布图设计属于公认的常规设计,因此维持本布图设计专有权有效。

(1)一审相关情况

晶某公司不服,向一审法院提起诉讼,请求撤销被诉决定并判令国家知识产权局重新作出决定。事实和理由为:证据6与本布图设计独创点1-4整体相比较,区别仅在于功率PMOS管同功率NMOS管的替换。而NMOS管与PMOS管的制备工艺过程实质是相同的,其布图设计实质是相同的。两者在细节上的区别不是本布图设计的独创点,将PMOS管替换为NMOS管是本领域的常规技术手段。综上,本布图设计不符合布图设计条例第四条的规定。

一审中,晶某公司向一审法院补充提交了中国电子信息产业发展研究院(以下简称电子信息研究院)于2021年12月22日作出的电研院知鉴[2021]820号鉴定意见书(以下简称第820号鉴定意见书),用以证明将PMOS管替换为NMOS管属于本领域的常规手段。鉴定意见中提到:"将在先设计的PMOS管替换为NMOS管是本领域技术人员容易想到和实现的,属于本领域的常规手段。具体选择多少N型MOS管MO替代P型MOS管MO本领域技术人员根据需要通过电流的能力计算获得"。晶某公司还补充提交了赛某公司于2009年6月8日申请的200910032958.8号,名称为"一种用于电池保护的智能开关"的发明专利,用以证明赛某公司也认为PMOS管和NMOS管可以相互替换。

晶某公司认为,被诉决定认定NMOS管与PMOS管特性互补而非相似是错误的,NMOS管与PMOS管的结构、工作原理都相似,制备工艺过程相同,其布图设计实质相同;布图设计是否具备独创性与MOS管本身结构无关,而体现在MOS管之间的布置、比例关系;NMOS管与PMOS管在细节上的区别,不是本布图设计的独创点。本布图设计与证据6的细微差别,均是公知设计或常规设计,证据6公开了本布图设计的独创点1-4整体,独创点1-4整体属于现有布图设计。

一审法院认为,对于PMOS管和NMOS管而言,即使二者在结构上相互对称、功能上可以互换,但在集成电路布图设计的三维配置和版图层次中,不宜认定二者可随意简单替换。虽然第820号鉴定意见书中指出"将在先设计的PMOS管替换为NMOS管是本领域技术人员容易想到和实现的,属于本领域的常规技术手段",但最终鉴定结论为第三人主张的本布图设计的独创点与证据6不相同。因此,证据6并未公开本布图设计独创点1-4整体所对应的布图设计,并无证据表明独创点1-4整体所对应的布图设计为本领域公认的常规设计。

基于以上,一审法院判决驳回原告上海晶某电子科技有限公司的诉讼请求。

(2)二审相关情况

晶某公司不服一审判决,向中最高提起上诉,请求:1.撤销一审判决及被诉决定;2.判令国家知识产权局重新作出撤销审查决定,或发回重审。事实和理由包括:在本布图设计及证据6的集成开关管的锂电池保护芯片(P002)中,功率开关MOS管MO及衬底切换MOS管(MC、MF)均用作开关,将证据6中的PMOS管替换为本布图设计中的NMOS管属于公认的常规设计。

国家知识产权局辩称:被诉决定和一审判决事实认定清楚、适用法律正确、程序合法,应当予以维持。

赛某公司述称:功率N型MOS管和功率P型MOS管具有实质区别,并不能简单替换,请求驳回晶某公司的上诉请求。

最高院认为,集成电路布图设计,从抽象概念到物理实现可分为不同的层级,通常包括逻辑设计、电路设计和版图设计。逻辑设计是根据所研制的集成电路要实现的功能,用逻辑电路确定集成电路各部位的逻辑连接。电路设计是将逻辑电路变换为电气电路。版图设计是指根据逻辑设计及电路设计,并根据生产制作工艺的要求,对集成电路中所有元件及连接各元件之间的连线进行几何配置和物理布局。每个层级的设计理念、设计原理、设计方式等均有所差异,故每个层级的常规设计亦有多种可能的选择。集成电路布图设计中的公认的常规设计,是指布图设计创作者和集成电路制造者可以从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料中获取的设计,以及根据基本的设计原理容易想到的设计。故判断一项布图设计是否属于集成电路布图设计中的公认的常规设计,其依据的技术资料、应用对象都应当限定为更为具体的布图设计层面,而通常不是泛指更为抽象的逻辑设计或者电路设计层面。

在布图设计中,NMOS管和PMOS管基于有源区、源极接触、漏极接触不同的掺杂类型实现不同导电类型的沟道,并非单纯的对称关系或复制关系,实现过程需制作不同掺杂区域,会导致工艺和版图的差别,在面积和阻抗方面的差异较为明显。与此相适应,将NMOS管和PMOS管设置在电路中时,开启导通的电性能差异也要求二者在电路中体现为不同的布线连接关系。即便在电路原理图中NMOS管和PMOS管的替换容易想到,在布图设计中设计者却不仅需要考虑整体电路的适配和连接关系的调整,还需考虑元器件的选用,例如不仅不同类型的晶体管,即使是同一类型的晶体管也具有多种不同的布图表达形式。对应不同特性的晶体管,如何选择适合于目标功能的晶体管的布图设计,设计者需要结合电路功能、工艺节点、布局中的相互干扰、噪声等问题综合进行考量,在电路原理图上将PMOS管替换为NMOS管并不意味着对应晶体管的布图设计必然能够得出唯一或者公认的设计结果。本案中,证据6与本布图设计不仅MOS管选择上存在差异,其对应布图层数、与其他元件的连接关系均不同,本布图设计的NMOS管相较于证据6的PMOS管多出了深阱层,NMOS管和PMOS管的源极、漏极、栅极连接关系各不相同,上述差异化的晶体管布图设计即是综合各种因素的体现。综上,晶某公司的现有证据不足以证明将证据6中的PMOS管替换为本布图设计的NMOS管是集成电路布图设计领域中公认的常规设计。

综上,最高院认定一审判决认定事实清楚,适用法律正确,应予维持,并判决驳回上诉,维持原判。

三、关于"公认的常规设计"的思考

结合上述两个案件,笔者对于布图设计的独创性判定中对"公认的常规设计"的认定有如下几点思考。

首先,公认的常规设计的证据应来源于布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料,法院对此的评判较为严格。

公认的常规设计的来源范围相对有限,正如案例1中最高院的判决书中明确提及的,其是指在创作布图设计时布图设计创作者和集成电路制造者能够从布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料或材料中获取的、为行业内人员所熟知的设计以及根据基本的设计原理容易想到的惯常设计。

在案例1中,成某公司尝试使用期刊论文和专利作为公认的常规设计的证据,但被最高院认定为"均不属于布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料的范畴"、"不足以证明权利布图设计属公认的常规设计"。因此,在提供公认的常规设计的证据时,一定要核对该证据是否来源于布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等,如果不满足,则应考虑将其归类为现有设计的证据进行使用。

第二,在判断一项布图设计是否属于集成电路布图设计领域中的公认的常规设计时,所依据的技术资料和应用对象都应当限定在布图设计层面,而不应扩展到逻辑设计或者电路设计层面。

在案例2中,涉案双方的争论焦点之一就是:NMOS管和PMOS管的替换在布图设计领域是否属于公认的常规设计。NMOS和PMOS统称为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它们的基本结构和工作原理是高度对称和互补的。在对专利的创造性进行评判时,通常会将NMOS和PMOS晶体管的简单替换认定为公知常识。但是,专利领域的公知常识,并不等同于布图设计领域的公认的常规设计。

正如案例2中最高院指出的,判断一项布图设计是否属于集成电路布图设计中的公认的常规设计,其依据的技术资料、应用对象都应当限定为更为具体的布图设计层面,而通常不是泛指更为抽象的逻辑设计或者电路设计层面。即便在电路原理图中NMOS管和PMOS管的替换容易想到,那也只能代表这种替换逻辑设计或者电路设计层面容易想到,而并不代表这种替换在布图设计层面容易想到。PMOS晶体管和NMOS晶体管在版图实现中差异显著,并非单纯的对称关系或复制关系,因此在布图设计层面,NMOS和PMOS的替换并不能被认定为公认的常规设计。

四、结论

总结而言,在评判一项证据是否能够用作布图设计领域的公认的常规设计的证据时,应从《指南》中对公认的常规设计的定义出发,仔细核对该证据是否符合定义中的每一个条件要素。特别要注意以下两点:

1、判断证据是否属于布图设计领域的教科书、技术词典、技术手册、通用标准、通用模块等资料;

2、判断证据是否限定为布图设计层面,而并非扩展到逻辑设计或者电路设计层面。

参考文献

1. 集成电路布图设计保护条例。

2. 集成电路布图设计保护条例实施细则。

3. 集成电路布图设计审查与执法指南(试行)

4. (2022)最高法知民终1596号判决书

5. (2024)最高法知行终469号

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